Производитель Номер продукта:
IRLS3813PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRLS3813PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12805917
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLS3813PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8020 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
195W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001576946
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB270N4F3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3013
Номер части
STB270N4F3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.04
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3713PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
IRF8721PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
