Производитель Номер продукта:
IRLSL3036PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRLSL3036PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Подробное описание:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12822663
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLSL3036PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11210 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
380W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IRLSL3036PBF
INFINFIRLSL3036PBF
SP001559028
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH1N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
IPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
IRLS4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
