IRLU3714ZPBF
Производитель Номер продукта:

IRLU3714ZPBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRLU3714ZPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 37A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK

Инвентаризация:

12815743
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRLU3714ZPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.55V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
*IRLU3714ZPBF
SP001553004

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

DN3135N8-G

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA

infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

texas-instruments

CSD16401Q5

MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

infineon-technologies

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA