Производитель Номер продукта:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISC035N10NM5LF2ATMA1-DG
Описание:
ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Инвентаризация:
13255995
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISC035N10NM5LF2ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 164A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 115µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7200 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 217W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8 FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
NVBG070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
NTBLS0D8N08XTXG
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
