ISC073N12LM6ATMA1
Производитель Номер продукта:

ISC073N12LM6ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

ISC073N12LM6ATMA1-DG

Описание:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Подробное описание:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 86A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Инвентаризация:

4071 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002850
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ISC073N12LM6ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3.3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC073

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC073N12LM6ATMA1TR
448-ISC073N12LM6ATMA1DKR
448-ISC073N12LM6ATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G160P03KI

P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-

diodes

DMP2037UFCL-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6

goford-semiconductor

G220P02D2

P-20V,-8A,RD(MAX)<[email protected],VTH-