Производитель Номер продукта:
ISP12DP06NMXTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISP12DP06NMXTSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Подробное описание:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
1641 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805606
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISP12DP06NMXTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 520µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
790 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
ISP12DP06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-ISP12DP06NMXTSA1DKR
2156-ISP12DP06NMXTSA1TR
448-ISP12DP06NMXTSA1TR
448-ISP12DP06NMXTSA1CT
SP004987268
ISP12DP06NMXTSA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU3711ZPBF
MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
IRF3515S
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IRF1310NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK