Производитель Номер продукта:
SPA17N80C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPA17N80C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807538
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
gX0u
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPA17N80C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-31
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SPA17N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPA1-ND7N80C3XKSA1
SP000216353
SPA17N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3
SPA17N80C3X
SPA1-DG7N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3IN-DG
SPA17N80C3XK
448-SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3XTIN-DG
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3IN-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
SPB10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223