Производитель Номер продукта:
SPB21N10T
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPB21N10T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
12806450
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPB21N10T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 44µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
865 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SPB21N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000013626
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB30NF10T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
971
Номер части
STB30NF10T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
IRFP4468PBF
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
IRLR8113TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
