Производитель Номер продукта:
SPD02N80C3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPD02N80C3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
8940 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815182
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
J8fF
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPD02N80C3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
290 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SPD02N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001117754
SPD02N80C3ATMA1CT
SPD02N80C3ATMA1DKR
SPD02N80C3ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
IRL3103D1
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
