SPD03N60C3ATMA1
Производитель Номер продукта:

SPD03N60C3ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

SPD03N60C3ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Инвентаризация:

27364 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SPD03N60C3ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 135µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SPD03N60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-SPD03N60C3ATMA1CT
448-SPD03N60C3ATMA1DKR
SPD03N60C3ATMA1-DG
448-SPD03N60C3ATMA1TR
SP001117760

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

SPB08P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

infineon-technologies

SPP100N03S203

MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3

microchip-technology

TN0610N3-G-P003

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

infineon-technologies

IRLR7833

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK