Производитель Номер продукта:
SPD07N60C3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPD07N60C3ATMA1-DG
Описание:
LOW POWER_LEGACY
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
4363 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064327
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPD07N60C3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
790 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SPD07N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001117774
SPD07N60C3ATMA1-ND
448-SPD07N60C3ATMA1TR
448-SPD07N60C3ATMA1CT
448-SPD07N60C3ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
BUK954R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
