Производитель Номер продукта:
SPD18P06PGBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPD18P06PGBTMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
8345 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPD18P06PGBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SPD18P06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SPD18P06P G
SPD18P06P G-DG
SPD18P06P GTR-DG
SPD18P06P GCT-DG
SPD18P06P GDKR-DG
SPD18P06PGBTMA1DKR
SPD18P06P GDKR
SPD18P06PGBTMA1CT
SPD18P06P GCT
SPD18P06PG
SPD18P06PGBTMA1TR
SP000443926
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP15N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
IRLR024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRLI2203N
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP