Производитель Номер продукта:
SPD30N03S2L10T
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPD30N03S2L10T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
12854940
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPD30N03S2L10T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SPD30N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP000016254
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN3010LK3-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1639
Номер части
DMN3010LK3-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLML6401TR
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
MGSF1P02LT1
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
2SJ690-T1B-AT
MOSFET P-CH 30V 2.5A SC96-3