SPI47N10L
Производитель Номер продукта:

SPI47N10L

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

SPI47N10L-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 175W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Инвентаризация:

12806982
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SPI47N10L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
175W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
SPI47N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000013952

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRLR024NTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

infineon-technologies

ISS55EP06LMXTSA1

MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3

infineon-technologies

SIPC07N50C3X1SA1

TRANSISTOR N-CH

infineon-technologies

SPB80N06S2-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3