Производитель Номер продукта:
SPI80N03S2L-04
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPI80N03S2L-04-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12808096
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPI80N03S2L-04 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
SPI80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SPI80N03S2L04X
SP000013903
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP42N03S2L13
MOSFET N-CH 30V 42A TO220-3
SPI100N03S2L03
MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3
VN2210N3-G
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3