Производитель Номер продукта:
SPP02N60S5HKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP02N60S5HKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12807465
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP02N60S5HKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP02N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5XK
SPP02N60S5X
SPP02N60S5-DG
SPP02N60S5
SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5IN-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK