Производитель Номер продукта:
SPP04N80C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP04N80C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
590 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806262
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP04N80C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
570 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP04N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP04N80C3XTIN-DG
SPP04N80C3
SP000683152
SPP04N80C3IN-DG
SPP04N80C3IN-NDR
2156-SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3X
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3XTIN
IFEINFSPP04N80C3XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR220NTR
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRFR9024NTRR
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF7326D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
