Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPP06N60C3HKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP06N60C3HKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12807823
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP06N60C3HKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP06N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPP06N60C3HKSA1
HTML Спецификация
SPP06N60C3HKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000014697
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-DG
SPP06N60C3XK
SPP06N60C3X
SPP06N60C3
SPP06N60C3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP9N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
963
Номер части
STP9N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STF11N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27
Номер части
STF11N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.71
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP9NK65Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP9NK65Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP10NK60Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
905
Номер части
STP10NK60Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.46
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP10N95K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1044
Номер части
STP10N95K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.42
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD30N06S2L-23
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPB42N03S2L-13 G
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
SPA04N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIE