Производитель Номер продукта:
SPP06N80C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP06N80C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
5987 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806005
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP06N80C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP06N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP06N80C3X
SPP06N80C3IN-DG
SPP06N80C3IN
SP000683154
SPP06N80C3IN-NDR
SPP06N80C3
SP0000683154
SPP06N80C3XTIN-DG
SPP06N80C3XTIN
448-SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XKSA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPN02N60S5
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223-4
IRL3302S
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO