Производитель Номер продукта:
SPP08N80C3XK
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP08N80C3XK-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12806604
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP08N80C3XK Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 470µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP08N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000013704
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPP08N80C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1997
Номер части
SPP08N80C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.00
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD04N60C3
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
VP0550N3-G-P013
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
IRL3714ZS
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
