Производитель Номер продукта:
SPP24N60C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP24N60C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
129 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12808162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP24N60C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
240W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP24N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP24N60C3XKSA1-DG
SP000681068
448-SPP24N60C3XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPB47N10L
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
SPI11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
VN10KN3-G
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
