SPP24N60C3XKSA1
Производитель Номер продукта:

SPP24N60C3XKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

SPP24N60C3XKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Инвентаризация:

129 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12808162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SPP24N60C3XKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
240W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP24N60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP24N60C3XKSA1-DG
SP000681068
448-SPP24N60C3XKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

SPB47N10L

MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

infineon-technologies

SPI11N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

microchip-technology

VN10KN3-G

MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3

infineon-technologies

SN7002NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3