Производитель Номер продукта:
SPP80P06PHXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP80P06PHXKSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
5150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807507
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP80P06PHXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 5.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
340W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP80P06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1-DG
SPP80P06P G
SP000441774
SPP80P06P H
448-SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06P H-DG
SPP80P06P G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
SPB100N03S2-03 G
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IRFL4105TR
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
