Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPU01N60C3BKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPU01N60C3BKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12807674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPU01N60C3BKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
11W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-21
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
SPU01N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPU01N60C3BKMA1
HTML Спецификация
SPU01N60C3BKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
SPU01N60C3XK
2156-SPU01N60C3BKMA1-IT
SPU01N60C3IN
INFINFSPU01N60C3BKMA1
SP000012110
SPU01N60C3
SPU01N60C3X
SPU01N60C3-DG
SPU01N60C3IN-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD2HNK60Z-1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3054
Номер части
STD2HNK60Z-1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPU80R4K5P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1487
Номер части
IPU80R4K5P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.24
Тип замещения
Direct
Номер детали
STD2LN60K3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1831
Номер части
STD2LN60K3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.30
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR7821PBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
SPU02N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
IRLML2803GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
SPU07N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3