Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPU02N60S5BKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPU02N60S5BKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12807456
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPU02N60S5BKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-21
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
SPU02N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPU02N60S5BKMA1
HTML Спецификация
SPU02N60S5BKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-SPU02N60S5BKMA1
SP000012422
SPU02N60S5-DG
SPU02N60S5X
INFINFSPU02N60S5BKMA1
SPU02N60S5
SPU02N60S5IN-DG
SPU02N60S5XK
SPU02N60S5IN
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFUC20PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7
Номер части
IRFUC20PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STD3N62K3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3586
Номер части
STD3N62K3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIPC08N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
SIPC14N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3