Производитель Номер продукта:
SPW16N50C3FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPW16N50C3FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
196 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPW16N50C3FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
560 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 675µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SPW16N50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SPW16N50C3XTIN-DG
2156-SPW16N50C3FKSA1
IFEINFSPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN-NDR
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3
SPW16N50C3IN-DG
SP000014472
SPW16N50C3X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
IRL3103L
MOSFET N-CH 30V 64A TO262
IRLMS6802TR
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
