Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPW52N50C3FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPW52N50C3FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 560 V 52A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12807594
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
u
b
w
2
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPW52N50C3FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
560 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 2.7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
290 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
417W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SPW52N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPW52N50C3FKSA1
HTML Спецификация
SPW52N50C3FKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
SPW52N50C3-DG
SPW52N50C3IN
SPW52N50C3XK
SPW52N50C3X
SPW52N50C3
SPW52N50C3IN-DG
SP000014626
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK35N65W,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15
Номер части
TK35N65W,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.78
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH072N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
23880
Номер части
FCH072N60F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.39
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXKR40N60C
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
16
Номер части
IXKR40N60C-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
15.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW48NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
582
Номер части
STW48NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.75
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH072N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
39
Номер части
FCH072N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.53
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3715SPBF
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
SPP12N50C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRLML5103GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
SIPC05N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH