IRF3703PBF
Производитель Номер продукта:

IRF3703PBF

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRF3703PBF-DG

Описание:

IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

21172 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946819
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF3703PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
167
Другие названия
2156-IRF3703PBF-IR
INFIRFIRF3703PBF

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDG316P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQU8P10TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMC7672

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3