IRF40DM229
Производитель Номер продукта:

IRF40DM229

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRF40DM229-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 40 V 159A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric MF

Инвентаризация:

4396 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946657
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF40DM229 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
StrongIRFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
159A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.85mOhm @ 97A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5317 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric MF
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MF

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
249
Другие названия
2156-IRF40DM229
INFINFIRF40DM229

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSC091N03MSCGATMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDC654P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

diodes

BSS127SSN-7

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE