IRF60B217
Производитель Номер продукта:

IRF60B217

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRF60B217-DG

Описание:

TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Инвентаризация:

3490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976825
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF60B217 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2230 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
388
Другие названия
2156-IRF60B217

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PMPB20EN/S500X

PMPB20EN - 30V, N-CHANNEL TRENCH

renesas-electronics-america

2SK2054-T1-AZ

2SK2054 - SWITCHING N-CHANNEL PO

renesas-electronics-america

UPA1902TE-T1-AT

UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS

renesas-electronics-america

NP80N055MHE-S18-AY

NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-