IRF6613TRPBF
Производитель Номер продукта:

IRF6613TRPBF

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRF6613TRPBF-DG

Описание:

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Инвентаризация:

22143 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947188
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF6613TRPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5950 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
258
Другие названия
2156-IRF6613TRPBF
INFIRFIRF6613TRPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN

nxp-semiconductors

NX7002BKW115

NOW NEXPERIA NX7002BKW SMALL SIG

fairchild-semiconductor

FDPF10N50UT

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

nxp-semiconductors

PMCM6501UNEZ

PMCM6501UNE - 20V, N-CHANNEL TRE