IRF6644TRPBF
Производитель Номер продукта:

IRF6644TRPBF

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRF6644TRPBF-DG

Описание:

IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

Инвентаризация:

602356 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979315
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF6644TRPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MN
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
214
Другие названия
IFEINFIRF6644TRPBF
2156-IRF6644TRPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN3009LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP31D7L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NVMFWS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

onsemi

NVH4L075N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V