IRFAC50
Производитель Номер продукта:

IRFAC50

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRFAC50-DG

Описание:

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

Инвентаризация:

129 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12933227
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFAC50 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.6A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-204AA (TO-3)
Упаковка / Чехол
TO-204AA, TO-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
41
Другие названия
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH3445-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

2SK3055(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH5811-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES