Производитель Номер продукта:
IRFH8316TRPBF-IR
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRFH8316TRPBF-IR-DG
Описание:
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
6260 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12942882
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH8316TRPBF-IR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3610 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
866
Другие названия
2156-IRFH8316TRPBF-IR
IFEIRFIRFH8316TRPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
2SK3495-AZ
MOSFET N-CH
