IRFHS8242TRPBF
Производитель Номер продукта:

IRFHS8242TRPBF

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

IRFHS8242TRPBF-DG

Описание:

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)

Инвентаризация:

177700 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946436
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFHS8242TRPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
653 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-PQFN (2x2)
Упаковка / Чехол
6-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,689
Другие названия
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3