Производитель Номер продукта:
IXFA12N50P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFA12N50P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Подробное описание:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Инвентаризация:
298 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12819520
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFA12N50P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA (IXFA)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXFA12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-IXFA12N50P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFV30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
IXTH24N65X2
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
IXFN64N50PD2
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B