Производитель Номер продукта:
IXFB82N60P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFB82N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Подробное описание:
N-Channel 600 V 82A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Инвентаризация:
220 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12819833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFB82N60P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS264™
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFB82
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFN40N110Q3
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
IXTA160N075T
MOSFET N-CH 75V 160A TO263
IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
