IXFB90N85X
Производитель Номер продукта:

IXFB90N85X

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFB90N85X-DG

Описание:

MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Подробное описание:
N-Channel 850 V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™

Инвентаризация:

14 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12908695
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFB90N85X Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
850 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1785W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS264™
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFB90

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR320

MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

vishay-siliconix

IRFBF20STRRPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRL640S

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

vishay-siliconix

IRF7822TRR

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO