Производитель Номер продукта:
IXFH150N17T2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFH150N17T2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Подробное описание:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Инвентаризация:
29 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914686
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
bD37
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFH150N17T2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, TrenchT2™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
175 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
880W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD (IXFH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
SI7392DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SI2303BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
