Производитель Номер продукта:
IXFH60N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFH60N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентаризация:
12820282
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFH60N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
780W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXTH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPW60R060P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
60
Номер части
IPW60R060P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.01
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
