Производитель Номер продукта:
IXFH6N100Q
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFH6N100Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Инвентаризация:
12821268
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFH6N100Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™, Q Class
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD (IXFH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
478547
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFH7N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFH7N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.00
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFN80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
IXTP2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
IXFK60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
