Производитель Номер продукта:
IXFK120N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFK120N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Подробное описание:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA
Инвентаризация:
12821287
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFK120N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
IXFK120N65X2X-DG
IXFK120N65X2XINACTIVE
IXFK120N65X2X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFX120N20
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
IXFH18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
