Производитель Номер продукта:
IXFK170N10P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFK170N10P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Подробное описание:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Инвентаризация:
12916692
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFK170N10P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
715W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA (IXFK)
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK170
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
PSMN2R4-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
