Производитель Номер продукта:
IXFK180N10
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFK180N10-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Инвентаризация:
12818986
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFK180N10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
560W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA (IXFK)
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
IXFK180N10-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFK200N10P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFK200N10P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
10.16
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFH100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
IXTT1N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
IXFV14N80PS
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS-220SMD
