Производитель Номер продукта:
IXFK32N80Q3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFK32N80Q3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Подробное описание:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Инвентаризация:
446 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915148
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFK32N80Q3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Q3 Class
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6940 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1000W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA (IXFK)
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK32
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
-IXFK32N80Q3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
SI7452DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
