Производитель Номер продукта:
IXFL32N120P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFL32N120P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Инвентаризация:
12821544
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFL32N120P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
340mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ISOPLUSi5-Pak™
Упаковка / Чехол
ISOPLUSi5-PAK™
Базовый номер продукта
IXFL32
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFH52N30P
MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
IXFY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
IXTA260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO263