Производитель Номер продукта:
IXFL38N100P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFL38N100P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Инвентаризация:
12820842
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFL38N100P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
24000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ISOPLUSi5-Pak™
Упаковка / Чехол
ISOPLUSi5-PAK™
Базовый номер продукта
IXFL38
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT29F100B2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37
Номер части
APT29F100B2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
14.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFX210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
IXFN70N120SK
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252