Производитель Номер продукта:
IXFM35N30
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFM35N30-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Подробное описание:
N-Channel 300 V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Инвентаризация:
12819948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFM35N30 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-204AE
Упаковка / Чехол
TO-204AE
Базовый номер продукта
IXFM35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDA38N30
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17406
Номер части
FDA38N30-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.33
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA130N15X4-7
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
IXTA270N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 270A TO263-7
IXTH460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
