Производитель Номер продукта:
IXFN100N10S3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN100N10S3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12821475
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN100N10S3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT10M11JVRU3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
APT10M11JVRU3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
30.40
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFX20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
IXTP64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
IXFK170N10
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
