Производитель Номер продукта:
IXFN100N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN100N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Подробное описание:
N-Channel 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
16 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821060
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN100N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
595W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
IXTP4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
