Производитель Номер продукта:
IXFN120N20
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN120N20-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12819616
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN120N20 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
600W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
IXFN120N20-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFN210N20P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFN210N20P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
33.70
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTX600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
IXTA180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
IXTH102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO247
